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J-GLOBAL ID：200902174820300939   整理番号：01A1048665

LEPS法を用いた高出力紫外LEDの開発

Development of High-Power Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using Lateral Epitaxy on a Patterned Substrate.

著者 (5件)： 岡川広明 (三菱電線工業 情報通信・フォトニクス研) ,  大内洋一郎 (三菱電線工業 情報通信・フォトニクス研) ,  常川高志 (三菱電線工業 情報通信・フォトニクス研) ,  只友一行 (三菱電線工業 情報通信・フォトニクス研) ,  加藤宗弘 (スタンレー電気)
資料名： 三菱電線工業時報  (Mitsubishi Cable Industries Review)
号： 98  ページ： 92-96  発行年： 2001年10月31日 
JST資料番号： F0516A  ISSN： 0913-0101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板にストライプ状の凹凸加工を施し,凸部から横方向への成長を...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高出力 ,  紫外LED ,  開発