二次元成長と三次元成長の遷移付近の自己集合InAs量子ドットの成長パターン

COLOCCI M; BOGANI F; CARRARESI L; MATTOLINI R; BOSACCHI A; FRANCHI S; FRIGERI P; ROSA-CLOT M; TADDEI S

文献

J-GLOBAL ID：200902175114981229 整理番号：97A0624532

二次元成長と三次元成長の遷移付近の自己集合InAs量子ドットの成長パターン

Growth patterns of self-assembled InAs quantum dots near the two-dimensional to three-dimensional transition.

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資料名：
巻： 70 号： 23 ページ： 3140-3142 発行年： 1997年06月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(001)GaAs基板上に被覆率が1.2から2.0MLまで連...

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半導体薄膜

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