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J-GLOBAL ID：200902175163329065   整理番号：97A0738817

ドナー・アクセプタ積層型電界効果素子における電荷移動量の評価

Estimation of charge transfer degree in field effect transistors using donor and acceptor stacked layers.

著者 (5件)： 白鳥靖人 (千葉大 工) ,  飯塚正明 (千葉大 工) ,  国吉繁一 (千葉大 工) ,  工藤一浩 (千葉大 工) ,  田中国昭 (千葉大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 47(OME97 13-21)  ページ： 1-5  発行年： 1997年05月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ドナー性分子としてTMTSF(テトラメチルテトラセレナフルバ...

シソーラス用語： ドナー ,...
準シソーラス用語： IRAS法 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• ROBLES-MARTINEZ, J. G. Cryst. Res. Technol. 1990, 25, 11, 1335-1341
• BECHGAARD, K. Acta Cryst. B. 1977, 33, 417-422
• KUDO, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1984, 23, 130
• 住本勉. 信学技報. 1996, OME95-66, 7
• SUMIMOTO, T. ICSM. 96 Abstracts. 1996, 274

タイトルに関連する用語 (5件)： ドナー ,  アクセプタ ,  電界効果素子 ,  電荷移動 ,  評価