文献

J-GLOBAL ID：200902175242162265   整理番号：99A0050735

溶液中のH-Si(111)表面上で形成されるCuクラスタのSiポテンシャルによる形態制御

Morphology Control of Cu Clusters Formed on H-Si(111) Surface in Solution by Si Potential.

著者 (2件)： HARA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OHDOMARI I (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 11A  ページ： L1333-L1335  発行年： 1998年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SHEに対して-0.70eVのSiポテンシャルでは,50nm...

シソーラス用語： *銅 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0050735&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

引用文献 (7件)：

• 1) D. H. Huang and M. Aono: J. Vac. Sci. & Technol. B<b>12</b> (1994) 2429
• 2) K. Uemura and K. Shimanoe: Proc. Fourth Int. Symp. Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing, eds. R. E. Novak and J. Ruzyllo (Electrochem. Soc, New Jersey, 1996) p. 292.
• 3) K. Hara and I. Ohdomari: to be published in IEICE-C [in Japanese].
• 4) A. J. Bard and L. R. Faulkner: <i>Electrochemical Methods</i> (John Wiley & Sons, NY, 1980) p. 637.
• 5) T. Ogino, H. Hibino and Y. Homma: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L668

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  Si ,  Cu ,  クラスタ ,  ポテンシャル ,  形態制御