最高300°Cまでの温度で動作するInGaN/AlGaNヘテロ構造電界効果トランジスターの温度活性化コンダクタンス.

KHAN M A; SHUR M S; KUZNIA J N; CHEN Q; BURM J; SCHAFF W

文献

J-GLOBAL ID：200902175252540780 整理番号：95A0298539

最高300°Cまでの温度で動作するInGaN/AlGaNヘテロ構造電界効果トランジスターの温度活性化コンダクタンス.

Temperature activated conductance in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors operating at temperatures up to 300 °C.

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資料名：
巻： 66 号： 9 ページ： 1083-1085 発行年： 1995年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

25-300°Cの温度領域で,AlGaN/GaNヘテロ構造電界...

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トランジスタ

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