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J-GLOBAL ID：200902175271906656   整理番号：97A0961348

触媒CVD(cat-CVD)法によるシリコン系薄膜堆積

Silicon thin films prepared using the cat-CVD method.

著者 (1件)： 松村英樹 (北陸先端科学技術大学院大 材料科研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 66  号： 10  ページ： 1094-1097  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 「触媒CVD法(catalytic-CVD=cat-CVD法...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...
準シソーラス用語： 触媒CVD

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (18件)：

• MATSUMURA, H. Appl.Phys.Lett. 1985, 47, 833
• MATSUMURA, H. Proc.18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 1277
• MATSUMURA, H. Jpn.J.Appl.Phys. 1986, 25, L949
• MATSUMURA, H. Appl.Phys.Lett. 1987, 51, 804
• MATSUMURA, H. J.Appl.Phys. 1989, 66, 3612

タイトルに関連する用語 (6件)： 触媒CVD ,  Cat-CVD ,  法 ,  シリコン ,  薄膜 ,  堆積