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J-GLOBAL ID：200902175382083233   整理番号：93A0904031

Investigation of carbon incorporation into GaAs by TEGa-AsH3 based low pressure metalorganic chemical vapor deposition.

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著者 (3件)：
FENG M S

FENG M S について

(National Chiao Tung Univ., TWN)

National Chiao Tung Univ., TWN について

, 
CHEN H D

CHEN H D について

(National Chiao Tung Univ., TWN)

National Chiao Tung Univ., TWN について

, 
WU C H

WU C H について

(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)

National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN について


資料名：
3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance  (3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance)

3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance について


ページ： 459-463  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930543  ISBN： 1-55899-196-4  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

GaAs について

, 
AsH3

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