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J-GLOBAL ID：200902175826169318   整理番号：98A0041511

2元化合物からのスパッタリングにより作製したCuInS₂薄膜の特性化

Characterization of CuInS₂ thin films prepared by sputtering from binary compounds.

著者 (5件)： YAMAMOTO Y (Fukui Coll. Technol., Sabae, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Wakayama Coll. Technol., Gobo, JPN) ,  TANAKA T (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  TANAHASHI N (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  YOSHIDA A (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 49  号： 1/4  ページ： 399-405  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より安価な薄膜太陽電池を作製するために,CuInS<sub>...

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング ,  作製 ,  CuInS2 ,  薄膜 ,  特性化