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J-GLOBAL ID：200902175873594680   整理番号：99A0382820

GaN中の新しい欠陥複合体とp型ドーピングにおけるそれらの役割

Novel Defect Complexes and Their Role in the p-Type Doping of GaN.

著者 (2件)： REBOREDO F A (Vanderbilt Univ., Tennessee) ,  PANTELIDES S T (Vanderbilt Univ., Tennessee)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 82  号： 9  ページ： 1887-1890  発行年： 1999年03月01日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNのMgによるp型ドーピングにおいてHが重要な役割を果た...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  欠陥複合体 ,  p型ドーピング ,  役割