GaAs基板上の自己組織化In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子ドットの表面形態に対するインジウム組成の影響

LI H; ZHUANG Q; WANG Z; DANIELS-RACE T

文献

J-GLOBAL ID：200902175987297529 整理番号：00A0185639

GaAs基板上の自己組織化In_xGa_1-xAs量子ドットの表面形態に対するインジウム組成の影響

Influence of indium composition on the surface morphology of self-organized In_xGa_1-xAs quantum dots on GaAs substrates.

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巻： 87 号： 1 ページ： 188-191 発行年： 2000年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の自己組織化量子ドット(x=1.0,0.5,0.35)を...

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

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GaAs基板上の自己組織化InxGa1-xAs量子ドットの表面形態に対するインジウム組成の影響

GaAs基板上の自己組織化In_xGa_1-xAs量子ドットの表面形態に対するインジウム組成の影響