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J-GLOBAL ID：200902176076467946   整理番号：94A0154160

Hall測定によるCVD成長4H-SiCの評価

Characterization of CVD-grown 4H-SiC by Hall Effect Measurement.

著者 (4件)： 秋田浩伸 (京大 工) ,  伊藤明 (京大 工) ,  木本恒暢 (京大 工) ,  松波弘之 (京大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 1  ページ： 232  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD ,  成長 ,  4H-SiC ,  評価