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J-GLOBAL ID：200902176126034515   整理番号：99A0975313

μc-Si(p)層を用いたアモルファスシリコンセル (2)

著者 (7件)： 佐々木敏明 (富士電機総研) ,  藤掛伸二 (富士電機総研) ,  田淵勝也 (富士電機総研) ,  吉田隆 (富士電機総研) ,  浜敏夫 (富士電機総研) ,  原嶋孝一 (富士電機総研) ,  市川幸美 (富士電機総研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 2  ページ： 810  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  層