文献

J-GLOBAL ID：200902176212078142   整理番号：98A0817086

オゾン化水と希薄HFを反復使用する単一ウエハスピンクリーニングによる汚染物除去

Contamination Removal by Single-Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonized Water and Dilute HF.

著者 (5件)： HATTORI T (SONY Corp. Semiconductor Co., Atsugi, JPN) ,  OSAKA T (SONY Corp. Semiconductor Co., Atsugi, JPN) ,  OKAMOTO A (SONY Corp. Semiconductor Co., Atsugi, JPN) ,  SAGA K (SONY Corp. Semiconductor Co., Atsugi, JPN) ,  KUNIYASU H (SONY Corp. Semiconductor Co., Atsugi, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 145  号： 9  ページ： 3278-3284  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オゾン化水と希薄HF溶液を各10秒づつジェットノズルを通じて...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： BHT【化合物】 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0817086&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： オゾン化水 ,  HF ,  反復使用 ,  汚染物除去