Tiベースの半Heusler化合物TiNiSn<sub>1-x</sub>Sb<sub>x</sub>の熱電気特性に対するSbドーピングの効果

BHATTACHARYA S; POPE A L; LITTLETON R T IV; TRITT T M; PONNAMBALAM V; XIA Y; POON S J

文献

J-GLOBAL ID：200902176870490880 整理番号：01A0108854

Tiベースの半Heusler化合物TiNiSn_1-xSb_xの熱電気特性に対するSbドーピングの効果

Effect of Sb doping on the thermoelectric properties of Ti-based half-Heusler compounds, TiNiSn_1-xSb_x.

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資料名：
巻： 77 号： 16 ページ： 2476-2478 発行年： 2000年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半Heusler合金材料(MgAgAs型)は,熱電材料となり...

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金属結晶の電子伝導 , 熱電発電,熱電子発電

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Tiベースの半Heusler化合物TiNiSn1-xSbxの熱電気特性に対するSbドーピングの効果

Tiベースの半Heusler化合物TiNiSn_1-xSb_xの熱電気特性に対するSbドーピングの効果