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J-GLOBAL ID：200902177056985769   整理番号：01A0610590

MOSFETのオンウエハ高周波雑音測定のための一般的な雑音およびSパラメータ抽出手順

A General Noise and S-Parameter Deembedding Procedure for On-Wafer High-Frequency Noise Measurements of MOSFETs.

著者 (2件)： CHEN C-H (McMaster Univ., ON, CAN) ,  DEEN M J (McMaster Univ., ON, CAN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 49  号： 5  ページ： 1004-1005  発行年： 2001年05月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 雑音および散乱パラメータ抽出用に一つの「開放」と二つの「スル...

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,...

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分類 (3件)： 雑音測定  (ND04030F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電磁気的量の計測法・機器  (AD07070F)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  高周波雑音 ,  雑音 ,  Sパラメータ ,  手順