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J-GLOBAL ID：200902177216914200   整理番号：99A0012065

単一および多重壁炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ

Single- and multi-wall carbon nanotube field-effect transistors.

著者 (5件)： MARTEL R (IBM Res. Div., New York) ,  SCHMIDT T (IBM Res. Div., New York) ,  SHEA H R (IBM Res. Div., New York) ,  HERTEL T (IBM Res. Div., New York) ,  AVOURIS P (IBM Res. Div., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 17  ページ： 2447-2449  発行年： 1998年10月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記トランジスタを試作しその特性を解析した。ナノチューブを通...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多重 ,  炭素ナノチューブ ,  電界効果トランジスタ