走査型トンネル顕微鏡観察によるSi(111)上のSiO<sub>2</sub>薄膜のシンクロトロン放射刺激脱離の直接観察

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J-GLOBAL ID：200902177326929947 整理番号：99A0886603

走査型トンネル顕微鏡観察によるSi(111)上のSiO₂薄膜のシンクロトロン放射刺激脱離の直接観察

Direct observation of synchrotron-radiation-stimulated desorption of thin SiO₂ films on Si(111) by scanning tunneling microscopy.

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巻： 437 号： 1/2 ページ： L755-L760 発行年： 1999年08月20日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Si(111)上におけるSiO₂膜のシ...

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物理的手法を用いた吸着の研究

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