ターンオン遅延時間を減少した埋め込みヘテロ構造を持つ1.3μm帯InGaAsP-InP n形変調ドープ-歪層多重量子井戸レーザ

NAKAHARA K; UOMI K; HAGA T; TANIWATARI T; OISHI A

文献

J-GLOBAL ID：200902177515489001 整理番号：96A0982556

ターンオン遅延時間を減少した埋め込みヘテロ構造を持つ1.3μm帯InGaAsP-InP n形変調ドープ-歪層多重量子井戸レーザ

Reduced Turn-on Delay Time in 1.3-μm InGaAsP-InP n-Type Modulation-Doped Strained Multiquantum-Well Lasers with a Buried Heterostructure.

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資料名：
巻： 8 号： 10 ページ： 1297-1298 発行年： 1996年10月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

p形基板上光閉じ込めブロック層埋め込みヘテロ構造(CBPBH...

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半導体レーザ

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