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J-GLOBAL ID：200902177667238004   整理番号：99A0905450

物理気相輸送により成長させたバルク6Hおよび4H-SiCウエハにおける純度改善効果の光学的評価

Optical assessment of purity improvement effects in bulk 6H and 4H-SiC wafers grown by physical vapor transport.

著者 (9件)： CAMASSEL J (Groupe d’Etude des Semiconducteurs, CNRS, Montpellier, FRA) ,  JUKLLAGUET S (Groupe d’Etude des Semiconducteurs, CNRS, Montpellier, FRA) ,  PLANES N (Groupe d’Etude des Semiconducteurs, CNRS, Montpellier, FRA) ,  GROSSE P (CEA, Grenoble, FRA) ,  FAURE C (CEA, Grenoble, FRA) ,  COUCHAUD M (CEA, Grenoble, FRA) ,  CHOUROU K (ENSPG, St Martin d’Heres, FRA) ,  ANIKIN M (ENSPG, St Martin d’Heres, FRA) ,  MADAR R (ENSPG, St Martin d’Heres, FRA)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B61/B62  ページ： 258-264  発行年： 1999年07月30日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (10件)： 物理 ,  気相 ,  輸送 ,  成長 ,  バルク ,  4H-SiC ,  ウエハ ,  純度 ,  改善効果 ,  光学的評価