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J-GLOBAL ID：200902177740943013   整理番号：95A0555127

炭素化合物汚染による酸化膜耐圧劣化要因の検討

Dielectric degradation models of gate oxide film contaminated with carbon compounds.

著者 (3件)： 滝山真功 (新日本製鉄) ,  石川明夫 (新日本製鉄) ,  河村光一郎 (新日本製鉄)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 2  ページ： 704  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素化合物 ,  汚染 ,  酸化膜 ,  耐圧 ,  要因