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J-GLOBAL ID:200902177740943013   整理番号:95A0555127

炭素化合物汚染による酸化膜耐圧劣化要因の検討

Dielectric degradation models of gate oxide film contaminated with carbon compounds.
著者 (3件):
資料名:
巻: 42nd  号: Pt 2  ページ: 704  発行年: 1995年03月 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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