重水素処理による金属-酸化物-半導体トランジスタにおけるホットエレクトロン劣化の低減

LYDING J W; HESS K; KIZILYALLI I C

文献

J-GLOBAL ID：200902177820087509 整理番号：96A0487849

重水素処理による金属-酸化物-半導体トランジスタにおけるホットエレクトロン劣化の低減

Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0487849&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0487849&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 68 号： 18 ページ： 2526-2528 発行年： 1996年04月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

NMOSトランジスタ基板の最終の焼結処理において水素に代わっ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0487849&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

, , ,

前のページに戻る