狭いSi(001)S<sub>B</sub>テラスに関する運動論的一次元Ising系

KAWAI H; NAKAMURA Y; NAKAYAMA M

文献

J-GLOBAL ID：200902177882442208 整理番号：00A0088749

狭いSi(001)S_Bテラスに関する運動論的一次元Ising系

Kinetic One-Dimensional Ising System on a Narrow Si(001)S_B Terrace.

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著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 68 号： 12 ページ： 3936-3940 発行年： 1999年12月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

狭いSi(001)S_Bテラスの時間発展...

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半導体の表面構造

引用文献 (12件)：

R. A. Wolkow: Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 2636.
H. Tochihara, T. Amakusa and M. Iwatsuki: Phys. Rev. B 50 (1994) 1262.
K. Inoue, Y. Morikawa, K. Terakura and M. Nakayama: in Interatomic Potential and Structural Stability, ed. K. Terakura and H. Akai (Springer, Berlin, 1993) p. 77.
K. Inoue, Y. Morikawa, K. Terakura and M. Nakayama: Phys. Rev. B 49 (1994) 14774.
K. Inoue, (1993), Doctoral Thesis to Kyushu University.

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