電力用半導体素子の動向

BALIGA B J

文献

J-GLOBAL ID：200902177925686637 整理番号：96A0928859

電力用半導体素子の動向

Trends in Power Semiconductor Devices.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 43 号： 10 ページ： 1717-1731 発行年： 1996年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電力電子システムの電力損失改善に繋がる標題素子技術の動向を総...

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トランジスタ , ダイオード

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