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J-GLOBAL ID：200902178120827583   整理番号：96A0555506

有機金属化学気相成長によって成長させたInGaAs/GaAs量子ドットの自己組織化過程

Self-organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (6件)： HEINRICHSDORFF F (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KROST A (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  GRUNDMANN M (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KOSOGOV A (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 23  ページ： 3284-3286  発行年： 1996年06月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Stranski-Krastanow成長モードを用いた有機金...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属化学 ,  気相成長 ,  成長 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  自己組織化 ,  過程