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J-GLOBAL ID：200902178359068374   整理番号：93A0876633

The enhanced outdiffusion and its influence on the impurity behavior in the implanted Si at rapid electron beam annealing.

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著者 (4件)：
KAGADEY V A

KAGADEY V A について

(Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN)

Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN について

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LEBEDEVA N

LEBEDEVA N について

(Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN)

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PROSKUROVSKY D I

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(Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN)

Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN について

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YAKOVLEVA L V

YAKOVLEVA L V について

(Inst. High-Current Electronics, Russian Academy of Sciences, Tomsk, SUN)

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資料名：
Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications  (Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications)

Beam-Solid Interactions: Fundamentals and Applications について


ページ： 219-224  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930494  ISBN： 1-55899-174-3  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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ITS

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Si

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RaPID

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