文献
J-GLOBAL ID:200902178440849011
整理番号:94A0117333
Properties of silicon oxide deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition.
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著者 (6件):
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資料名:
巻:
2090
ページ:
203-213
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
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