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J-GLOBAL ID：200902178581743640   整理番号：96A0204641

ウルツ鉱型n型GaNにおける圧抵抗効果

Piezoresistive effect in wurtzite n-type GaN.

著者 (5件)： BYKHOVSKI A D (Univ. Virginia, Virginia) ,  KAMINSKI V V (A.F. Ioffe Inst. Physics and Technol., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN) ,  SHUR M S (Univ. Virginia, Virginia) ,  CHEN Q C (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  KHAN M A (APA Optics, Inc., Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 6  ページ： 818-819  発行年： 1996年02月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型ウルツ鉱型GaNにおける圧抵抗効果を測定した。3-5μm...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  圧抵抗効果