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J-GLOBAL ID：200902178604386883   整理番号：93A0480185

半導体ヘテロ接合(111)面の界面双極子とそのエネルギーバンドオフセットに及ぼす影響

Interface dipoles for (111) semiconductor heterojunctions and their influences on band offsets.

著者 (3件)： XIE J-J (Henan Normal Univ., Xinxiang) ,  LU D (Fudan Univ., Shanghai) ,  ZHANG T (Henan Normal Univ., Xinxiang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 42  号： 4  ページ： 656-664  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： タイトバインディング近似に基づく界面ボンド極性模型によって標記を調べた。III-VあるいはII-VI半導体だけから成るヘテロ接合では界面双極子は界面の方位および組成にあまり依存しないことが分かった。II-VI/III-V,II-VI/IV,III-V/IVのように異なる型の半導体ヘテロ接合で,界面にアニオンまたはカチオンの混合がある場合についても調べた

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  バンドオフセット ,  双極子 ,  界面 ,  ヒ化ガリウム ,  ゲルマニウム ,  アニオン ,  カチオン ,  強束縛近似
準シソーラス用語： TB近似

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ヘテロ接合 ,  界面双極子 ,  エネルギー ,  バンドオフセット