四値巨大磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

WANG Z; NAKAMURA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902178644290790 整理番号：96A0507881

四値巨大磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

Quarternary giant magnetoresistance random access memory.

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資料名：
巻： 79 号： 8 Pt 2B ページ： 6639-6641 発行年： 1996年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

弱結合した巨大磁気抵抗(GMR)多層膜には,印加磁場が零のと...

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記憶装置 , 磁電デバイス

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