文献

J-GLOBAL ID：200902178673663643   整理番号：99A0863993

変調ドープヘテロ構造中の自己集合InAs量子ドットの束縛-連続サブバンド間光伝導

Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures.

著者 (3件)： LEE S-W (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAKAWA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMADA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 10  ページ： 1428-1430  発行年： 1999年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調ドープAlGaAs/GaAs二次元チャネル中の光励起キャ...

シソーラス用語： 変調ドーピング ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0863993&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 変調ドープ ,  ヘテロ構造 ,  自己集合 ,  InAs量子ドット ,  束縛 ,  サブバンド ,  光伝導