GaN基板上に成長させたInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオードの連続波動作

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; IWASA N; YAMADA T; MATSUSHITA T; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; CHOCHO K

文献

J-GLOBAL ID：200902178758664428 整理番号：98A0447266

GaN基板上に成長させたInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオードの連続波動作

Continuous-wave operation of InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on GaN substrates.

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資料名：
巻： 72 号： 16 ページ： 2014-2016 発行年： 1998年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記InGaN多重量子井戸構造レーザダイオード(LD)を作製...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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