GaN/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N量子井戸の圧電場に起因した振動子強度低下

IM J S; KOLLMER H; OFF J; SOHMER A; SCHOLZ F; HANGLEITER A

文献

J-GLOBAL ID：200902179196461983 整理番号：98A0515405

GaN/Al_xGa_1-xN量子井戸の圧電場に起因した振動子強度低下

Reduction of oscillator strength due to piezoelectric fields in GaN/Al_xGa_1-xN quantum wells.

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0515405&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 57 号： 16 ページ： R9435-R9438 発行年： 1998年04月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題の振動子強度低下を見いだした。時間分解光ルミネセンス分光...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0515405&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

半導体のルミネセンス

, , , ,

前のページに戻る

GaN/AlxGa1-xN量子井戸の圧電場に起因した振動子強度低下

GaN/Al_xGa_1-xN量子井戸の圧電場に起因した振動子強度低下