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文献
J-GLOBAL ID:200902179480925485   整理番号:98A0564669

低速Heイオンビームで調べたSi(100)-2×1:H及びSi(100)-1×1:2H表面上の水素の表面反跳過程

Surface-recoil processes of hydrogen on Si(1 0 0)-2×1:H and Si(1 0 0)-1×1:2H surfaces studied by low-energy He ion beams.
著者 (4件):
資料名:
巻: 135  号: 1/4  ページ: 366-371  発行年: 1998年02月
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低速反跳イオン分光法(LE-RIS)による実験と古典的軌道シ...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
イオンとの相互作用  ,  半導体の表面構造 

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