固体源分子ビームエピタクシーで成長させた2.12μm InGaAs-InGaAlAs-InPダイオードレーザ

KUANG G K; BOEHM G; GRAU M; ROESEL G; MEYER R; AMANN M-C

文献

J-GLOBAL ID：200902179633889718 整理番号：00A1013384

固体源分子ビームエピタクシーで成長させた2.12μm InGaAs-InGaAlAs-InPダイオードレーザ

2.12μm InGaAs-InGaAlAs-InP diode lasers grown in solid-source molecular-beam epitaxy.

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資料名：
巻： 77 号： 8 ページ： 1091-1092 発行年： 2000年08月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

固体源分子ビームエピタクシーにより,2.12μmと長い波長を...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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