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J-GLOBAL ID：200902179873201063   整理番号：98A0779728

X線定在波によるサファイア(0001)上のGaN薄膜の極性決定

Polarity determination of a GaN thin film on sapphire (0001) with x-ray standing waves.

著者 (8件)： KAZIMIROV A (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  SCHERB G (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  ZEGENHAGEN J (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  LEE T-L ,  BEDZYK M J ,  KELLY M K (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  ANGERER H (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  AMBACHER O (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 84  号： 3  ページ： 1703-1705  発行年： 1998年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-Al₂O₃単...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線 ,  定在波 ,  サファイア ,  GaN ,  薄膜 ,  極性