分子ビームエピタクシーによるGaNの2次元/3次元成長 GaN量子ドットに向けて

DAUDIN B; WIDMANN F; FEUILLET G; ADELMANN C; SAMSON Y; ARLERY M; ROUVI<span style=text-decoration:overline>E`</span>RE J L

文献

J-GLOBAL ID：200902180023068044 整理番号：98A0274812

分子ビームエピタクシーによるGaNの2次元/3次元成長 GaN量子ドットに向けて

2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots.

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著者 (7件)：

DAUDIN B

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WIDMANN F

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資料名：

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

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巻： B50 号： 1/3 ページ： 8-11 発行年： 1997年12月18日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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