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J-GLOBAL ID：200902180177357286   整理番号：00A0875594

AlAs,GaAs及びInAs中のふっ素原子 安定状態,拡散及びキャリアパッシベーション

Fluorine atoms in AlAs, GaAs, and InAs: Stable state, diffusion, and carrier passivation.
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著者 (3件)：
TAGUCHI A

TAGUCHI A について

(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)

NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN について

, 
OHNO T

OHNO T について

(National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)

National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN について

, 
SASAKI T

SASAKI T について

(National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN)

National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 62  号： 3  ページ： 1821-1827  発行年： 2000年07月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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標題ふっ素(F)原子の性質を第1原理計算により研究した。標題...
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヒ化アルミニウム

ヒ化アルミニウム について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (9件)：
タイトルに関連する用語
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AlAs

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, 
GaAs

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, 
InAs

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ふっ素

ふっ素 について

, 
原子

原子 について

, 
安定状態

安定状態 について

, 
拡散

拡散 について

, 
キャリア

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, 
パッシベーション

パッシベーション について


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