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J-GLOBAL ID:200902180177357286   整理番号:00A0875594

AlAs,GaAs及びInAs中のふっ素原子 安定状態,拡散及びキャリアパッシベーション

Fluorine atoms in AlAs, GaAs, and InAs: Stable state, diffusion, and carrier passivation.
著者 (3件):
資料名:
巻: 62  号:ページ: 1821-1827  発行年: 2000年07月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標題ふっ素(F)原子の性質を第1原理計算により研究した。標題...
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分類 (2件):
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半導体の格子欠陥  ,  不純物・欠陥の電子構造 

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