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J-GLOBAL ID：200902180271644051   整理番号：02A0278590

大口径GaN基板の開発

Development of large GaN substrates.

著者 (6件)： 元木健作 (住友電気工業 伊丹研) ,  中畑成二 (住友電気工業 伊丹研) ,  岡久拓司 (住友電気工業 伊丹研) ,  松本直樹 (住友電気工業 伊丹研) ,  こうきつ明伯 (東京農工大 工) ,  関寿 (東京農工大 工)
資料名： 人工結晶討論会講演要旨集
巻： 46th  ページ： 1-6  発行年： 2001年12月03日 
JST資料番号： L1397A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 直接マスク形成したGaAs(111)A面基板を下地基板として...

シソーラス用語： *基板 ,...
準シソーラス用語： VPE成長

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大口径 ,  GaN ,  開発