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J-GLOBAL ID：200902180322322801   整理番号：02A0269697

GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術

Hexagonal Quantum BDD Integrated Circuit Utilizing GaAs Schottky Wrap Gate Structures.

著者 (3件)： 葛西誠也 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  湯元美樹 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 619(ED2001 245-250)  ページ： 9-14  発行年： 2002年01月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 量子デバイスを集積化し論理回路を実現する,ヘキサゴナル量子B...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ラップゲート

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分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  量子 ,  BDD ,  集積回路技術