Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>の酸化により作製した電荷捕獲メモリ

KING Y-C; KING T-J; HU C

文献

J-GLOBAL ID：200902180408115035 整理番号：01A0628646

Si_1-xGe_xの酸化により作製した電荷捕獲メモリ

Charge-Trap Memory Device Fabricated by Oxidation of Si_1-xGe_x.

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資料名：
巻： 48 号： 4 ページ： 696-700 発行年： 2001年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゲルマニウムナノ結晶準不揮発性メモリデバイスを作製する技法を...

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トランジスタ , 記憶装置

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Si1-xGexの酸化により作製した電荷捕獲メモリ

Si_1-xGe_xの酸化により作製した電荷捕獲メモリ