文献
J-GLOBAL ID：200902180459205101
整理番号：94A0254241
埋込み半導体β-FeSi2の光学特性及び電気特性
Optical and electrical properties of buried semiconducting β-FeSi2.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
84
号：
2
ページ：
163-167
発行年：
1994年02月
JST資料番号：
H0899A
ISSN：
0168-583X
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
オランダ (NLD)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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(111)Siに200keVのFe
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シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化
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