酸化シリコンと酸化ニオブの反応性dcスパッタリングに対するターゲット温度の効果

文献

J-GLOBAL ID：200902180522652768 整理番号：97A0093013

Effect of target temperature on the reactive d.c.-sputtering of silicon and niobium oxides.

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資料名：
巻： 287 号： 1/2 ページ： 57-64 発行年： 1996年10月30日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Ar/O₂雰囲気中出のSiとNbの高温...

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酸化物薄膜

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