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J-GLOBAL ID：200902180595184029   整理番号：98A0793963

高出力UV InGaN/AlGaN二重ヘテロ構造LED

High-power UV InGaN/AlGaN double-heterostructure LEDs.

著者 (3件)： MUKAI T (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  MORITA D (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 778-781  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  InGaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  LED