文献
J-GLOBAL ID：200902180746443293   整理番号：02A0307786

最新のパワーデバイスの動向 シリコンパワーデバイスの限界と突破技術

Recent Power Devices Trend.
著者 (1件)：
大橋弘通

大橋弘通 について

(東芝 研開セ)

東芝 研開セ について


資料名：
電気学会誌  (電気学会雑誌)

電気学会誌 について


巻： 122  号： 3  ページ： 168-171  発行年： 2002年03月01日 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シリコンパワーデバイスの現状を示し,限界突破への新しい試みに...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*半導体素子

半導体素子 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シリコン

シリコン について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0307786&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0011A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス一般 
(NC03010Z)

固体デバイス一般 について

引用文献 (20件)：
  • 東芝レビュー. 1999
  • SHENAI, K. IEEE, EDL. 1989, 10, 153
  • SHENAI, K. IEEE, EDL. 1991, 12, 108
  • 末代. 東芝レビュー. 1999, 11, 28
  • LORENZ, L. Proc. Power Conversion. 1998
もっと見る
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
パワーデバイス

パワーデバイス について

, 
動向

動向 について

, 
シリコン

シリコン について

, 
限界

限界 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM