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J-GLOBAL ID：200902180797986917   整理番号：97A1040627

DRAMキャパシターへの高誘電体薄膜の応用-課題と方向

Application of high-K dielectric material thin film to DRAM capacitors-Issues and a direction.

著者 (4件)： 大路譲 (日立) ,  飯島晋平 (日立) ,  中西成彦 (日立) ,  浅野勇 (日立 デバイス開セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 66  号： 11  ページ： 1210-1214  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1DRAMの急激な価格低落はメモリーセルの一層の縮小を促して...

シソーラス用語： *DRAM ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (16件)：

• 1) M. Koyanagi, H. Sunami, N. Hashimoto and T. Ashikawa: IEDM. Tech. Dig., p. 348 (1978).
• 2) S. Kimura, Y. Kawamoto, T. Kure, N. Hasegawa, T. Kisu, J. Etoh, M. Aoki, E. Takeda, H. Sunami and K. Itoh: IEEE Trans. on Electron Devices 37, 737 (1990).
• 3) K. Itoh, Y. Nakagome, S. Kimura, T. Watanabe: IEEE J. Solid-State Circuits 32, 624 (1997).
• 4) K. Itabashi, S. Tsuoi, H. Nakamura, K. Hashimoto, W. Futoh, K. Fukuda, I. Hanyu, S. Asai, T. Chijimatsu, E. Kawamura, T. Yao, H. Takagi, Y. Ohta, T. Karasawa, H. Iio, M. Onoda, F. Inoue, H. Nomura, Y. Satoh, M. Higashimoto, M. Matsumiya, M. Miyabo, T. Ikeda, T. Yam-azaki, M. Miyajima, K. Watanabe, S. Kawamura and M. Taguchi: Dig. of 1997 Symp. on VLSI tech., Kyoto, p. 21 (1997).
• 5) H. Shinriki, M. Nakata, Y. Nishioka and K. Mukai: IEEE Electron Device Lett. 10, 514 (1989).

タイトルに関連する用語 (4件)： DRAM ,  キャパシター ,  誘電体薄膜 ,  応用