シリコン(001)表面上のゲルマニウムナノ結晶の角錐形からドーム形への形状転移

MEDEIROS-RIBEIRO G; BRATKOVSKI A M; KAMINS T I; OHLBERG D A A; WILLIAMS R S

文献

J-GLOBAL ID：200902181183040657 整理番号：98A0203463

シリコン(001)表面上のゲルマニウムナノ結晶の角錐形からドーム形への形状転移

Shape Transition of Germanium Nanocrystals on a Silicon (001) Surface from Pyramids to Domes.

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巻： 279 号： 5349 ページ： 353-355 発行年： 1998年01月16日
JST資料番号： E0078A ISSN： 0036-8075 CODEN： SCIEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

大気圧,600°Cで,シリコン(001)表面上にゲルマニウムを...

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

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