文献

J-GLOBAL ID：200902181539836753   整理番号：99A0975881

β-SiC(001)-c(2×2)表面の表面内殻準位シフト光電子回折研究

Surface core-level shift photoelectron diffraction study of β-SiC(001)-c(2×2) surface.

著者 (7件)： SHIMOMURA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YEOM H W (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MUN B S (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  FADLEY C S (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HARA S (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  YOSHIDA S (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  KONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 438  号： 1/3  ページ： 237-241  発行年： 1999年09月10日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面の表面内殻準位シフト光電子回折を用いて,C終端β-SiC...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0975881&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  内殻準位 ,  シフト ,  光電子回折 ,  研究