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J-GLOBAL ID：200902181577183720   整理番号：95A0756445

AlNバッファ層を用いたSiC上のGaNエピタクシーの微細構造

Microstructure of GaN epitaxy on SiC using AlN buffer layers.

著者 (5件)： PONCE F A (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  KRUSOR B S (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  MAJOR J S JR (SDL, Inc., California) ,  PLANO W E (SDL, Inc., California) ,  WELCH D F (SDL, Inc., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 3  ページ： 410-412  発行年： 1995年07月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)SiC基板上のGaNエピ層の結晶構造をX線回折と...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  バッファ層 ,  SiC ,  GaN ,  エピタクシー ,  微細構造