酸化亜鉛におけるドーピングの原因としての水素

VAN DE WALLE C G

文献

J-GLOBAL ID：200902181968168440 整理番号：00A0879383

酸化亜鉛におけるドーピングの原因としての水素

Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 85 号： 5 ページ： 1012-1015 発行年： 2000年07月31日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

酸化亜鉛は,多くの技術的応用をもつ広いバンドギャップの半導体...

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半導体の格子欠陥

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