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J-GLOBAL ID：200902181984266070   整理番号：00A0990293

CVDダイアモンドにおける単一置換型窒素と空格子点と結合した窒素の相対的割合

Relative Abundance of Single and Vacancy-Bonded Substitutional Nitrogen in CVD Diamond.

著者 (6件)： VLASOV I I (General Physics Inst., Moscow, RUS) ,  RALCHENKO V G (General Physics Inst., Moscow, RUS) ,  KHOMICH A V (Inst. Radio Engineering & Electronics, Moscow region, RUS) ,  NISTOR S V (Univ. Antwerp(UIA), Antwerpen, BEL) ,  SHOEMAKER D (Univ. Antwerp(UIA), Antwerpen, BEL) ,  KHMELNITSKII R A (P.N. Lebedev Physics Inst., Moscow, RUS)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 181  号： 1  ページ： 83-90  発行年： 2000年09月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10ppmの窒素不純物濃度レベルをもつ約0.2μm厚みのCV...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVDダイアモンド ,  置換 ,  窒素 ,  空格子点 ,  割合